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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.396 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| JESD-609代码： | e1 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM100SK33T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM100SK40T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper MOSFET Power Module |
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| APTM100SKM90 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper MOSFET Power Module |
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| APTM100SKM90G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper MOSFET Power Module |
|
| APTM100TA35FP | ADPOW |
获取价格 |
Triple phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM100TA35FPG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple phase leg MOSFET Power Module |
|
| APTM100TA35FPG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM100TA35SCTPG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM100TDU35P | ADPOW |
获取价格 |
Triple dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM100TDU35PG | MICROSEMI |
获取价格 |
Triple dual common source MOSFET Power Module |
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