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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTM100TDU35P
APTM100TDU35P PDF预览

APTM100TDU35P

更新时间： 2024-11-05 03:28:23
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 316K
描述
Triple dual common source MOSFET Power Module

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APTM100TDU35P 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：3 BANKS, COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X21
元件数量：6端子数量：21
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTM100TDU35P 数据手册

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APTM100TDU35P  
VDSS = 1000V  
Triple dual common source  
MOSFET Power Module  
RDSon = 350mΩ max @ Tj = 25°C  
ID = 22A @ Tc = 25°C  
D1  
D3  
D5  
Application  
•
•
•
AC Switches  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
G1  
G3  
G5  
S1  
S3  
S5  
S1/S2  
S3/S4  
S5/S6  
Features  
S2  
S4  
G4  
S6  
G6  
•
Power MOS 7® MOSFETs  
G2  
-
-
-
-
-
Low RDSon  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
D2  
D4  
D6  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
D 1  
D 3  
D 5  
G1  
S1  
G3  
S3  
G5  
S5  
S1/S2  
S3/S4  
S5/S6  
S2  
G2  
S4  
G4  
S6  
•
•
Very low (12mm) profile  
G6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a dual  
common source configuration of three times the  
current capability  
D 2  
D 4  
D 6  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
1000  
V
Tc = 25°C  
22  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
17  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
88  
Gate - Source Voltage  
±30  
350  
390  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
25  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
3000  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 – 6  
123456

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与APTM100TDU35P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTM100TDU35PG MICROSEMI

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 		Triple dual common source MOSFET Power Module
APTM100U13S ADPOW

获取价格

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APTM100UM45DAG MICROSEMI

获取价格

 		Single switch with Series diode MOSFET Power Module
APTM100UM45DAG-Module MICROCHIP

获取价格

 		MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APTM100UM45D-ALN ADPOW

获取价格

 		Single switch with Series diode MOSFET Power Module
APTM100UM45FAG MICROSEMI

获取价格

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APTM100UM45FAG-Module MICROCHIP

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