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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20 | 针数： | 25 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.42 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X20 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 20 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM10AM02F | ADPOW |
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Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM10AM02FG | MICROSEMI |
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Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM10AM02FG-Module | MICROCHIP |
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FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM10AM05FT | ADPOW |
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Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM10AM05FTG | MICROSEMI |
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Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM10AM05FTG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM10DAM02 | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DAM02G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DAM02G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM10DAM05T | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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