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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 278 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM10AM05FTG | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM10AM05FTG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM10DAM02 | ADPOW |
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Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DAM02G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DAM02G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM10DAM05T | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DAM05TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DAM05TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM10DDAM09T3 | ADPOW |
获取价格 |
Dual Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM10DDAM09T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual Boost chopper MOSFET Power Module |
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