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APTM10DSKM09T3 PDF预览

APTM10DSKM09T3

更新时间： 2024-11-27 20:30:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-25

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APTM10DSKM09T3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-25针数：25
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.22Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3200 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：139 A
最大漏极电流 (ID)：139 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X25
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：25工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：390 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：430 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTM10DSKM09T3 数据手册

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APTM10DSKM09T3  
VDSS = 100V  
RDSon = 9mΩ typ @ Tj = 25°C  
ID = 139A @ Tc = 25°C  
Dual Buck chopper  
MOSFET Power Module  
13 14  
Application  
•
•
AC and DC motor control  
Q1  
Q2  
Switched Mode Power Supplies  
Features  
11  
10  
18  
19  
•
Power MOS V® MOSFETs  
-
-
-
-
-
Low RDSon  
22  
23  
7
8
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
CR1  
CR2  
32  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
29  
15  
30  
31  
R1  
-
Symmetrical design  
16  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
29  
30  
16  
15  
•
•
Low profile  
31  
32  
14  
13  
Each leg can be easily paralleled to achieve a single  
buck of twice the current capability  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
100  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
139  
ID  
Continuous Drain Current  
A
100 *  
430  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
±30  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
9.5  
Tc = 25°C  
390  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
100  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
* Specification of MOSFET device but output current must be limited to 75A to not exceed a delta of temperature  
3000  
greater than 30°C for the connectors.  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 – 6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTM10DSKM09T3G MICROSEMI

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 		MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APTM10DSKM19T3 ADPOW

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