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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTM10HM05F
APTM10HM05F PDF预览

APTM10HM05F

更新时间： 2024-11-24 02:51:59
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 303K
描述
Full - Bridge MOSFET Power Module

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APTM10HM05F 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.6Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：278 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X12元件数量：4
端子数量：12工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1100 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

APTM10HM05F 数据手册

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APTM10HM05F  
VDSS = 100V  
Full - Bridge  
RDSon = 4.5mΩ typ @ Tj = 25°C  
MOSFET Power Module  
ID = 278A @ Tc = 25°C  
VBUS  
Application  
Q1  
Q3  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
G1  
S1  
G3  
S3  
Features  
Power MOS V® FREDFETs  
Q2  
Q4  
•
-
-
-
-
-
-
Low RDSon  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
G2  
S2  
G4  
S4  
Fast intrinsic reverse diode  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
0/VBUS  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
•
High level of integration  
OUT1  
OUT2  
G1  
S1  
G2  
S2  
VBUS  
0/VBUS  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Low profile  
S4  
S3  
G4  
G3  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
100  
278  
207  
1100  
±30  
5
V
Tc = 25°C  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
780  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
100  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
3000  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 - 6  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Full - Bridge MOSFET Power Module
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