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APTM10HM09FT3 PDF预览

APTM10HM09FT3

更新时间： 2024-11-24 20:03:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 315K
描述
Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-25

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APTM10HM09FT3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-25针数：25
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：COMPLEX最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：139 A最大漏极电流 (ID)：139 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：25
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：390 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：430 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTM10HM09FT3 数据手册

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APTM10HM09FT3  
VDSS = 100V  
Full - Bridge  
RDSon = 9mΩ typ @ Tj = 25°C  
MOSFET Power Module  
ID = 139A @ Tc = 25°C  
Application  
13 14  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
18  
19  
11  
10  
22  
23  
7
8
Features  
•
Power MOS V® FREDFETs  
-
-
-
-
Low RDSon  
Q2  
Q4  
32  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
4
3
26  
27  
Fast intrinsic diode  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
-
-
29  
30  
31  
R1  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
15  
16  
-
Symmetrical design  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
30  
16  
15  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
•
•
Low profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of twice the current capability  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
100  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
V
Tc = 25°C  
139  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
100 *  
430  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
Gate - Source Voltage  
±30  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
9.5  
Tc = 25°C  
390  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
100  
A
Repetitive Avalanche Energy  
50  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
* Specification of MOSFET device but output current must be limited to 75A to not exceed a delta of temperature  
3000  
greater than 30°C for the connectors.  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
APT website – http://www.advancedpower.com  
1 – 6  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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