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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTM10TAM19FPG
APTM10TAM19FPG PDF预览

APTM10TAM19FPG

更新时间： 2024-11-20 03:14:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 287K
描述
Triple phase leg MOSFET Power Module

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APTM10TAM19FPG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.22
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X21
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：6端子数量：21
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APTM10TAM19FPG 数据手册

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APTM10TAM19FPG  
VDSS = 100V  
Triple phase leg  
RDSon = 19mΩ typ @ Tj = 25°C  
MOSFET Power Module  
ID = 70A @ Tc = 25°C  
Application  
•
Welding converters  
VBUS1  
VBUS2  
VBUS3  
•
•
•
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
G1  
S1  
G3  
S3  
G5  
S5  
Features  
U
V
W
•
Power MOS V® FREDFETs  
-
-
-
-
-
-
Low RDSon  
Low input and Miller capacitance  
Low gate charge  
G2  
S2  
G4  
G6  
S4  
S6  
Fast intrinsic diode  
Avalanche energy rated  
Very rugged  
0/VBUS1  
0/VBUS2  
0/VBUS3  
•
•
Kelvin source for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
Outstanding performance at high frequency operation  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
VBUS 1  
VBUS 2  
VBUS 3  
G1  
G3  
S3  
G5  
S5  
S1  
0/VBUS 1  
0/VBUS 2  
0/VBUS 3  
•
•
Very low (12mm) profile  
S2  
G2  
S4  
G4  
S6  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of three times the current capability  
Module can be configured as a three phase bridge  
Module can be configured as a boost followed by a  
full bridge  
G6  
U
V
W
•
•
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VDSS  
Drain - Source Breakdown Voltage  
100  
V
Tc = 25°C  
70  
50  
ID  
Continuous Drain Current  
A
Tc = 80°C  
IDM  
VGS  
RDSon  
PD  
Pulsed Drain current  
300  
±30  
21  
Gate - Source Voltage  
V
mΩ  
W
Drain - Source ON Resistance  
Maximum Power Dissipation  
Tc = 25°C  
208  
IAR  
EAR  
EAS  
Avalanche current (repetitive and non repetitive)  
75  
A
Repetitive Avalanche Energy  
30  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy  
1500  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
www.microsemi.com  
1 – 6  
123456

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与APTM10TAM19FPG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTM10TAM19FPG-Module MICROCHIP

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 		FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio
APTM10TDUM09P ADPOW

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 		Triple dual common source MOSFET Power Module
APTM10TDUM09PG MICROSEMI

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 		Triple dual common source MOSFET Power Module
APTM10TDUM19P ADPOW

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 		Triple dual common source MOSFET Power Module
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 		Single Switch MOSFET Power Module
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