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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.23 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN THERMISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 1200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 34 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.348 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM120A29FTG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM120A65FT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM120A80FT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg MOSFET Power Module |
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| APTM120DA15 | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM120DA15G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM120DA29T | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM120DA29TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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| APTM120DA30CT1G | MICROSEMI |
获取价格 |
MOSFET SiC chopper diode |
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| APTM120DA30CT1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM120DA30T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper MOSFET Power Module |
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