Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APTM10UM02FA

APTM10UM02FA

更新时间： 2024-11-24 04:32:51

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ADPOW		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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Single Switch MOSFET Power Module

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APTM10UM02FA 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	570 A
最大漏源导通电阻：	0.0025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1900 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APTM10UM02FA 数据手册

APTM10UM02FA

V_DSS= 100V

Single Switch

R_DSon= 2.25mΩ typ @ Tj = 25°C

MOSFET Power Module

I_D= 570A* @ Tc = 25°C

Application

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

Features

•

Power MOS V^®FREDFETs

Low R_DSon

Low input and Miller capacitance

Low gate charge

Avalanche energy rated

Fast intrinsic diode

Very rugged

•

Kelvin source for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

M5 power connectors

•

High level of integration

AlN substrate for improved thermal performance

Benefits

•

Outstanding performance at high frequency operation

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Low profile

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

100

Unit

V_DSS

Drain - Source Breakdown Voltage

T_c= 25°C

570 *

429

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 80°C

I_DM

V_GS

R_DSon

Pulsed Drain current

Gate - Source Voltage

Drain - Source ON Resistance

1900

±30

2.5

mΩ

P_D

I_AR

E_AR

E_AS

Maximum Power Dissipation

T_c= 25°C

1660

100

Avalanche current (repetitive and non repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3000

* Specification of MOSFET device but output current must be limited to 500A to not exceed a delta of temperature

greater than 100°C for the connectors.

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

APT website – http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTM10UM02FAG	MICROSEMI	获取价格	Single Switch MOSFET Power Module
APTM10UM02FAG-Module	MICROCHIP	获取价格	FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio
APTM120A15F	ADPOW	获取价格	Phase leg MOSFET Power Module
APTM120A15FG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg MOSFET Power Module
APTM120A15FG-Module	MICROCHIP	获取价格	FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio
APTM120A20D	ADPOW	获取价格	Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module
APTM120A20DG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg with Series diodes MOSFET Power Module
APTM120A20DG-Module	MICROCHIP	获取价格	MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery
APTM120A20SG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Series & parallel diodes MOSFET Power Module
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