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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, SP4, 4 PIN | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 278 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 278 A | 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 780 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM10DUM05TG_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM10HM05F | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM05FG | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM05FG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM10HM09FT | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM09FT | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, |
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| APTM10HM09FT3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| APTM10HM09FT3 | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, |
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| APTM10HM09FT3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM09FT3G | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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