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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.6 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 495 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1900 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTM10DUM02G | MICROSEMI |
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Dual Common Source MOSFET Power Module |
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| APTM10DUM02G-Module | MICROCHIP |
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MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APTM10DUM05T | ADPOW |
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Dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM10DUM05TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM10DUM05TG_10 | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source MOSFET Power Module |
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| APTM10HM05F | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM05FG | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM05FG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
FREDFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeFast intrinsic reverse dio |
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| APTM10HM09FT | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge MOSFET Power Module |
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| APTM10HM09FT | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 100V, 0.0095ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, |
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