5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12 |
| 针数： | 12 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-T12 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 12 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 310 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 170 ns | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT75H60T1G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon type: |
|
| APTGT75H60T3 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25 |
|
| APTGT75H60T3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT75H60T3G | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT75H60T3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon type: |
|
| APTGT75SK120D1 | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper Trench IGBT Power Module |
|
| APTGT75SK120D1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
| APTGT75SK120T | ADPOW |
获取价格 |
Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT75SK120T1G | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT® P |
|
| APTGT75SK120TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
