Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT75H60T3

APTGT75H60T3

更新时间： 2024-12-01 13:05:39

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	289K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25

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APTGT75H60T3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X25	元件数量：	4
端子数量：	25	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	310 ns
标称接通时间 (ton)：	170 ns	Base Number Matches：	1

APTGT75H60T3 数据手册

APTGT75H60T3G

Full - Bridge

Trench + Field Stop IGBT^®

Power Module

V_CES= 600V

I_C= 75A @ Tc = 80°C

Application

13 14

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

CR1

CR3

Features

Trench + Field Stop IGBT^®Technology

•

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

CR2

CR4

Low leakage current

Avalanche energy rated

RBSOA and SCSOA rated

•

Kelvin emitter for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

•

High level of integration

Internal thermistor for temperature monitoring

28 27 26 25

23 22

20 19 18

Benefits

•

Stable temperature behavior

Very rugged

Solderable terminals for easy PCB mounting

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Easy paralleling due to positive TC of VCEsat

Low profile

10 11

Each leg can be easily paralleled to achieve a phase

All multiple inputs and outputs must be shorted together

Example: 13/14 ; 29/30 ; 22/23 …

leg of twice the current capability

•

RoHS compliant

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

600

T_C= 25°C

100

I_C

Continuous Collector Current

T_C= 80°C

T_C= 25°C

140

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

±20

T_C= 25°C

T_J= 150°C

Maximum Power Dissipation

250

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

150A @ 550V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.

1 - 5

APT website – http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT75H60T3G	MICROSEMI	获取价格	Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75H60T3G	ADPOW	获取价格	Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75H60T3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 75Silicon type:
APTGT75SK120D1	ADPOW	获取价格	Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT75SK120D1G	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
APTGT75SK120T	ADPOW	获取价格	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75SK120T1G	MICROSEMI	获取价格	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT® P
APTGT75SK120TG	MICROSEMI	获取价格	Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT75SK120TG-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 75Silicon type
APTGT75SK170D1	ADPOW	获取价格	Buck chopper Trench IGBT Power Module

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