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APTGT150TA60PG-Module

更新时间： 2024-11-25 14:55:47
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 520K
描述
Configuration: Triple Phase legVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 150Silicon type: TRENCH 3 IGBT Package: SP6P

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APTGT150TA60PG  
Triple phase leg  
Trench + Field Stop IGBT3  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 150A @ Tc = 80°C  
Application  
VBUS1  
G1  
VBUS2  
VBUS3  
•
•
•
•
Welding converters  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
G3  
G5  
E1  
E3  
G4  
E5  
G6  
U
V
W
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT3Technology  
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G2  
E2  
E4  
E6  
0/VBUS1  
0/VBUS2  
0/VBUS3  
Low leakage current  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
High level of integration  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Very low (12mm) profile  
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase  
leg of three times the current capability  
Module can be configured as a three phase bridge  
Module can be configured as a boost followed by a  
full bridge  
•
•
•
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
225  
150  
350  
±20  
480  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
300A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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与APTGT150TA60PG-Module相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT150TDU60P ADPOW

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 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150TDU60PG MICROSEMI

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 		Triple Dual Common Source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150TDU60PG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Triple Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 15
APTGT150TL60G MICROSEMI

获取价格

 		Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT150TL60G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 150Sili
APTGT150X120E3G ADPOW

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 		3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
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 		Phase leg Trench IGBT Power Module
APTGT200A120D3G MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A120D3G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon type:

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