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APTGT200A60TG PDF预览

APTGT200A60TG

更新时间： 2024-02-17 08:06:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 259K
描述
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT200A60TG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：290 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X12
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：12
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：370 ns标称接通时间 (ton)：180 ns
Base Number Matches：1

APTGT200A60TG 数据手册

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APTGT200A60TG  
Phase leg  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
VBUS  
NT C2  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
G1  
E1  
Features  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
OUT  
Low tail current  
Q2  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
G2  
E2  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
0/VBUS  
NT C1  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
High level of integration  
Internal thermistor for temperature monitoring  
G2  
Benefits  
OUT  
OUT  
E2  
•
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
VBUS  
0/VBUS  
Solderable terminals for easy PCB mounting  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
E1  
G1  
E2  
G2  
NTC2  
NTC1  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
290  
200  
400  
±20  
625  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
400A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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与APTGT200A60TG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT200DA120D3 ADPOW

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 		Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA120D3G MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA120D3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty
APTGT200DA120G MICROSEMI

获取价格

 		Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty
APTGT200DA170D3 ADPOW

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 		Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA170D3G MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA60T3AG MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA60T3AG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silicon typ
APTGT200DA60TG MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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