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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 280 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X8 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 610 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 340 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT200DH120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Sili |
|
| APTGT200DH60G | MICROSEMI |
获取价格 |
Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DH60G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Asymmetrical bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silic |
|
| APTGT200DU120 | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DU120G | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT200DU120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silic |
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| APTGT200DU60T | ADPOW |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DU60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT200DU60TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silico |
|
| APTGT200H120 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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