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APTGT200H60G PDF预览

APTGT200H60G

更新时间： 2024-09-21 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 252K
描述
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT200H60G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：290 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X12JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：12最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：370 ns
标称接通时间 (ton)：180 nsBase Number Matches：1

APTGT200H60G 数据手册

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APTGT200H60G  
Full - Bridge  
Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 600V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
VBUS  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
Q1  
Q3  
G1  
E1  
G3  
E3  
Features  
OUT1 OUT2  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Q2  
Q4  
Low tail current  
G2  
E2  
G4  
E4  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
0/VBUS  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
•
High level of integration  
OUT1  
OUT2  
Benefits  
G1  
E1  
G2  
VBUS  
0/VBUS  
•
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
E2  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
E4  
G4  
E3  
G3  
RoHS Compliant  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
600  
290  
200  
400  
±20  
625  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 150°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
400A @ 550V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 6  
www.microsemi.com  
123456

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与APTGT200H60G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT200H60G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silicon type:
APTGT200SK120 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK120D3 ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK120D3G MICROSEMI

获取价格

 		Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK120G MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Buck chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon typ
APTGT200SK170D3 ADPOW

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 		Buck chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200SK170D3G MICROSEMI

获取价格

 		Buck Chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK60T ADPOW

获取价格

 		Buck chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200SK60T3AG MICROSEMI

获取价格

 		Buck chopper Trench Field Stop IGBT Power Module

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