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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 300 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 830 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT200DA120D3G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty |
|
| APTGT200DA120G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DA120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty |
|
| APTGT200DA170D3 | ADPOW |
获取价格 |
Boost chopper Trench IGBT Power Module |
|
| APTGT200DA170D3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT200DA60T3AG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT200DA60T3AG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silicon typ |
|
| APTGT200DA60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT200DH120 | ADPOW |
获取价格 |
Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
| APTGT200DH120G | MICROSEMI |
获取价格 |
Asymmetrical - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
|
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