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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT200DA170D3
APTGT200DA170D3 PDF预览

APTGT200DA170D3

更新时间： 2024-02-21 23:43:29
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ADPOW 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 197K
描述
Boost chopper Trench IGBT Power Module

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APTGT200DA170D3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1200 ns标称接通时间 (ton)：400 ns

APTGT200DA170D3 数据手册

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APTGT200DA170D3  
VCES = 1700V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
Boost chopper  
Trench IGBT® Power Module  
Application  
3
•
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Power Factor Correction  
Features  
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
1
•
Q2  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
6
7
2
•
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
High level of integration  
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
3
2
1
4
5
-
M6 power connectors  
Benefits  
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
7
6
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1700  
400  
200  
600  
±20  
1250  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area  
400A@1650V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT200DA170D3G MICROSEMI

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 		Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA60T3AG-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silicon typ
APTGT200DA60TG MICROSEMI

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APTGT200DH120 ADPOW

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