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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 280 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 610 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 340 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT200DU120G | MICROSEMI |
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Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DU120G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silic |
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| APTGT200DU60T | ADPOW |
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Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DU60TG | MICROSEMI |
获取价格 |
Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200DU60TG-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silico |
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| APTGT200H120 | ADPOW |
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Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200H120G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200H120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Full bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon type |
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| APTGT200H60 | ADPOW |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200H60G | MICROSEMI |
获取价格 |
Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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