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APTGT200DU120

更新时间： 2024-09-21 04:49:39
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 269K
描述
Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT200DU120 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：280 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：340 nsBase Number Matches：1

APTGT200DU120 数据手册

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APTGT200DU120  
Dual common source  
Fast Trench + Field Stop IGBT®  
Power Module  
VCES = 1200V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
Application  
•
•
•
AC Switches  
C1  
C2  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Q1  
Q2  
G1  
E1  
G2  
E2  
Features  
•
Fast Trench + Field Stop IGBT® Technology  
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
E
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
M5 power connectors  
•
High level of integration  
G1  
E1  
C1  
E
C2  
Benefits  
•
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Low profile  
E2  
G2  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
280  
200  
400  
±20  
890  
V
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
TC = 80°C  
TC = 25°C  
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 125°C 400A @ 1100V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 5  
APT website – http://www.advancedpower.com  
12345

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与APTGT200DU120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT200DU120G MICROSEMI

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 		Dual common source Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DU120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Dual common sourceVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silic
APTGT200DU60T ADPOW

获取价格

 		Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DU60TG MICROSEMI

获取价格

 		Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DU60TG-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Dual common sourceVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silico
APTGT200H120 ADPOW

获取价格

 		Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H120G MICROSEMI

获取价格

 		Full - Bridge Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H120G-Module MICROCHIP

获取价格

 		Configuration: Full bridgeVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon type
APTGT200H60 ADPOW

获取价格

 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H60G MICROSEMI

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 		Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module

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