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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 12 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 480 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 370 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 180 ns | VCEsat-Max： | 1.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGT150TL60G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Three level inverterVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 150Sili |
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| APTGT150X120E3G | ADPOW |
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3 Phase bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200A120 | ADPOW |
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Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200A120D3 | ADPOW |
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Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT200A120D3G | MICROSEMI |
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Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200A120D3G-Module | MICROCHIP |
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Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon type: |
|
| APTGT200A120G | MICROSEMI |
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Phase leg Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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| APTGT200A120G-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
Configuration: Phase legVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon type: |
|
| APTGT200A170D3 | ADPOW |
获取价格 |
Phase leg Trench IGBT Power Module |
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| APTGT200A170D3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module |
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