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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT200A170D3
APTGT200A170D3 PDF预览

APTGT200A170D3

更新时间： 2024-02-14 03:19:12
品牌 Logo 应用领域
ADPOW 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 197K
描述
Phase leg Trench IGBT Power Module

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APTGT200A170D3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：310 A集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X11
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：11
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1200 ns标称接通时间 (ton)：400 ns
Base Number Matches：1

APTGT200A170D3 数据手册

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APTGT200A170D3  
VCES = 1700V  
IC = 200A @ Tc = 80°C  
Phase leg  
Trench IGBT® Power Module  
Application  
•
•
•
•
Welding converters  
3
Q1  
Switched Mode Power Supplies  
Uninterruptible Power Supplies  
Motor control  
4
5
1
Features  
Q2  
•
Trench + Field Stop IGBT® Technology  
6
-
-
-
-
-
-
-
-
Low voltage drop  
Low tail current  
Switching frequency up to 20 kHz  
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
Low leakage current  
Avalanche energy rated  
RBSOA and SCSOA rated  
7
2
•
•
•
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
High level of integration  
Kelvin emitter for easy drive  
Low stray inductance  
3
2
1
4
5
-
M6 power connectors  
Benefits  
7
6
•
•
•
•
•
Stable temperature behavior  
Very rugged  
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1700  
400  
200  
600  
±20  
1250  
V
TC = 25°C  
TC = 80°C  
TC = 25°C  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
TC = 25°C  
Tj = 125°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operation Area  
400A@1650V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APTGT200A170D3G MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A170D3G-Module MICROCHIP

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 		Configuration: Phase legVCES (V): 1700VCESat (V): 2Current (A) Tc=80C: 200Silicon type: TR
APTGT200A60T ADPOW

获取价格

 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200A60T3AG MICROSEMI

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 		Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
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 		Configuration: Phase legVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silicon type: T
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 		Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty
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