Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGT200A60T3AG

APTGT200A60T3AG

更新时间： 2024-02-04 01:11:43

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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描述
Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module

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APTGT200A60T3AG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN	针数：	25
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	290 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X10	元件数量：	2
端子数量：	10	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	370 ns	标称接通时间 (ton)：	180 ns
Base Number Matches：	1

APTGT200A60T3AG 数据手册

APTGT200A60T3AG

Hase le

Phase leg

V_CES= 600V

Trench + Field Stop IGBT

Power Module

I_C= 200A @ Tc = 100°C

Application

29 30 31 32

•

Welding converters

Switched Mode Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies

Motor control

Features

26 27 28

22 23 25

•

Trench + Field Stop IGBT Technology

Low voltage drop

Low tail current

Switching frequency up to 20 kHz

Soft recovery parallel diodes

Low diode VF

Low leakage current

RBSOA and SCSOA rated

16 18 19 20

•

Very low stray inductance

Kelvin emitter for easy drive

Internal thermistor for temperature monitoring

High level of integration

AlN substrate for improved thermal performance

28 27 26 25

23 22

20 19 18

Benefits

•

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Solderable terminals both for power and signal for

easy PCB mounting

10 11

Pins 29/30/31/32 must be shorted together

•

Low profile

RoHS Compliant

Pins 26/27/28/22/23/25 must be shorted together

to achieve a phase leg

Pins 16/18/19/20 must be shorted together

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

600

Unit

V_CES

Collector - Emitter Breakdown Voltage

T_C= 25°C

T_C= 100°C

T_C= 25°C

290

200

400

±20

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

V_GE

P_D

Pulsed Collector Current

Gate – Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

T_C= 25°C

T_j= 150°C

750

RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area

400A @ 550V

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note

APT0502 on www.microsemi.com

1 – 5

www.microsemi.com

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGT200A60T3AG-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Phase legVCES (V): 600VCESat (V): 1.5Current (A) Tc=80C: 200Silicon type: T
APTGT200A60TG	MICROSEMI	获取价格	Phase leg Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA120D3	ADPOW	获取价格	Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA120D3G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA120D3G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty
APTGT200DA120G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA120G-Module	MICROCHIP	获取价格	Configuration: Boost chopperVCES (V): 1200VCESat (V): 1.7Current (A) Tc=80C: 200Silicon ty
APTGT200DA170D3	ADPOW	获取价格	Boost chopper Trench IGBT Power Module
APTGT200DA170D3G	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200DA60T3AG	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper Trench + Field Stop IGBT Power Module

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