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APT33GF120BRG

更新时间: 2024-11-24 12:47:31
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美高森美 - MICROSEMI 晶体半导体晶体管开关功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
44页 2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

APT33GF120BRG 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-247AD
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.18Is Samacsys:N
其他特性:FAST SWITCHING外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):52 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLEJEDEC-95代码:TO-247AD
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):284 ns标称接通时间 (ton):85 ns
Base Number Matches:1

APT33GF120BRG 数据手册

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POWER PORTFOLIO 2012-2013  
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