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APT33GF120BRG

更新时间: 2024-02-18 04:49:33
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美高森美 - MICROSEMI 晶体半导体晶体管开关功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
44页 2833K
描述
Power Semiconductors Power Modules

APT33GF120BRG 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-264AA
包装说明:,针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.6
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):33 A
集电极-发射极最大电压:1200 V最大降落时间(tf):160 ns
门极发射器阈值电压最大值:6.5 V门极-发射极最大电压:20 V
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):300 W最大上升时间(tr):170 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

APT33GF120BRG 数据手册

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