Datasheet > APT34M120J

APT34M120J

更新时间： 2024-10-28 04:32:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
4页	274K
描述
N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT34M120J 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	ISOTOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.02	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	2700 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	35 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	195 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

APT34M120J 数据手册

APT34M120J

1200V, 34A, 0.30Ω Max

N-Channel MOSFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

"UL Recognized"

file # E145592

ISOTOP^®

APT34M120J

Single die MOSFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• PFC and other boost converter

• Fast switching with low EMI/RFI

• Buck converter

• Low R_DS(on)

• Two switch forward (asymmetrical bridge)

• Single switch forward

• Flyback

• Ultra low C_rssfor improved noise immunity

• Low gate charge

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

• Inverters

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

195

±30

2700

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

960

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

0.13

°C/W

R_θCS

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

Operating and Storage Junction Temperature Range

RMS Voltage (50-60hHz Sinusoidal Waveform from Terminals to Mounting Base for 1 Min.)

0.11

T_J,T_STG

V_Isolation

°C

-55

150

2500

1.03

29.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Terminals and Mounting Screws.

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与APT34M120J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT34M120J-09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT34M60B	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT34M60B_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT34M60S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT34N80B2C3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80B2C3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT34N80LC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与APT34M120J相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

12
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT34M120J

APT34M120J 技术参数

APT34M120J 数据手册

与APT34M120J相关器件

与APT34M120J相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT34M120J

APT34M120J 技术参数

APT34M120J 数据手册

与APT34M120J相关器件

与APT34M120J相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？