APT34M60B

更新时间： 2024-10-28 04:32:47

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel MOSFET

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APT34M60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.33
其他特性：	FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	930 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	34 A
最大漏极电流 (ID)：	58 A	最大漏源导通电阻：	0.21 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	624 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT34M60B 数据手册

APT34M60B

APT34M60S

600V, 34A, 0.21Ω Max

N-Channel MOSFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

D³PAK

APT34M60B

APT34M60S

Single die MOSFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• PFC and other boost converter

• Fast switching with low EMI/RFI

• Buck converter

• Low R_DS(on)

• Two switch forward (asymmetrical bridge)

• Single switch forward

• Flyback

• Ultra low C_rssfor improved noise immunity

• Low gate charge

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

• Inverters

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

124

±30

930

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

624

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.20

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.15

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT34M60S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
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APT34N80B2C3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT34N80LC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT3507DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| CHIP
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