是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.43 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 670 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 800 V | 最大漏极电流 (ID): | 34 A |
最大漏源导通电阻: | 0.145 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 102 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
APT34N80B2C3 | MICROSEMI |
类似代替 |
Super Junction MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT34N80LC3 | ADPOW |
获取价格 |
Super Junction MOSFET | |
APT34N80LC3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Super Junction MOSFET | |
APT34N80LC3G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
APT3507DN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | CHIP | |
APT3507FN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | F-PACK SIP | |
APT35-101DN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP | |
APT3520AN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3 | |
APT3520BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AD | |
APT3520DN | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
APT3520HN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 23.5A I(D) | TO-258ISO |