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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT3580AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| APT3580BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AD |
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| APT3580CN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-254ISO |
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| APT3580GN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-257ISO |
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| APT35DL120HJ | MICROSEMI |
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ISOTOP Fast Diode Full Bridge Power Module |
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| APT35G50BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
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| APT35G60BN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
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| APT35GA90B | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT |
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| APT35GA90BD15 | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT |
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| APT35GA90S | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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