5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 4.54 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 63 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 900 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 281 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 18 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT35GA90S | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT35GA90SD15 | MICROSEMI |
获取价格 |
High Speed PT IGBT |
|
| APT35GL60BN | MICROSEMI |
获取价格 |
35A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
|
| APT35GN120B | MICROSEMI |
获取价格 |
Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology |
|
| APT35GN120B | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT35GN120BG | MICROSEMI |
获取价格 |
Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology |
|
| APT35GN120BG | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT35GN120L2DQ2 | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT35GN120L2DQ2G | ADPOW |
获取价格 |
IGBT |
|
| APT35GN120L2DQ2G | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Semiconductors Power Modules |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
