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APT35GL60BN

更新时间： 2024-10-28 20:33:39

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APT35GL60BN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	35 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	700 ns	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	147 W
最大功率耗散 (Abs)：	147 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	100 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	55 ns
标称断开时间 (toff)：	35 ns	最大开启时间（吨）：	30 ns
标称接通时间 (ton)：	15 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT35GN120B	MICROSEMI	获取价格	Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology
APT35GN120B	ADPOW	获取价格	IGBT
APT35GN120BG	MICROSEMI	获取价格	Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology
APT35GN120BG	ADPOW	获取价格	IGBT
APT35GN120L2DQ2	ADPOW	获取价格	IGBT
APT35GN120L2DQ2G	ADPOW	获取价格	IGBT
APT35GN120L2DQ2G	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT35GN120S	MICROSEMI	获取价格	Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology
APT35GN120SG	MICROSEMI	获取价格	Utilizing the latest Non-Punch Through (NPT) Field Stop technology
APT35GP120B	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 IGBT