Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT34N80B2C3

APT34N80B2C3

更新时间： 2024-10-28 03:02:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
5页	256K
描述
Super Junction MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT34N80B2C3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	102 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT34N80B2C3 数据手册

APT34N80B2C3

APT34N80LC3

800V 34A 0.145Ω

Super Junction MOSFET

T-MAX™

TO-264

COOLMOS

Power Semiconductors

• Ultra low R_{DS ON}

(

)

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q_g

• Avalanche Energy Rated

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with

two parallel MOSFET die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT34N80B2C3_LC3

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

800

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

102

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±20

±30

417

Watts

W/°C

P_D

3.33

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 640V, I_D= 34A, T_J= 125°C)

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Amps

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

0.5

Single Pulse Avalanche Energy

670

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 500µA)

800

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 22A)

0.125 0.145

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_J= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2mA)

1.0

500

±200

3.9

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

2.10

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

™

"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Infineon Technologies AG"

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

APT34N80B2C3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与APT34N80B2C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT34N80LC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT3507DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| CHIP
APT3507FN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| F-PACK SIP
APT35-101DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| CHIP
APT3520AN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 22.5A I(D) \| TO-3
APT3520BN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 26A I(D) \| TO-247AD
APT3520DN	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与APT34N80B2C3相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

12
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT34N80B2C3

APT34N80B2C3 技术参数

APT34N80B2C3 数据手册

APT34N80B2C3 替代型号

与APT34N80B2C3相关器件

与APT34N80B2C3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT34N80B2C3

APT34N80B2C3 技术参数

APT34N80B2C3 数据手册

APT34N80B2C3 替代型号

与APT34N80B2C3相关器件

与APT34N80B2C3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？