Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT34N80B2C3

APT34N80B2C3

更新时间： 2024-11-24 03:02:03

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
5页	256K
描述
Super Junction MOSFET

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APT34N80B2C3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	102 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT34N80B2C3 数据手册

APT34N80B2C3

APT34N80LC3

800V 34A 0.145Ω

Super Junction MOSFET

T-MAX™

TO-264

COOLMOS

Power Semiconductors

• Ultra low R_{DS ON}

(

)

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q_g

• Avalanche Energy Rated

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

Unless stated otherwise, Microsemi discrete MOSFETs contain a single MOSFET die. This device is made with

two parallel MOSFET die. It is intended for switch-mode operation. It is not suitable for linear mode operation.

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT34N80B2C3_LC3

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

800

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

102

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±20

±30

417

Watts

W/°C

P_D

3.33

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 640V, I_D= 34A, T_J= 125°C)

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Amps

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

0.5

Single Pulse Avalanche Energy

670

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 500µA)

800

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 22A)

0.125 0.145

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_J= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2mA)

1.0

500

±200

3.9

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

2.10

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

™

"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Infineon Technologies AG"

12 3 4 5

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APT34N80B2C3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与APT34N80B2C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT34N80LC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT3507DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| CHIP
APT3507FN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| F-PACK SIP
APT35-101DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| CHIP
APT3520AN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 22.5A I(D) \| TO-3
APT3520BN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 26A I(D) \| TO-247AD
APT3520DN	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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