是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-264AA |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 670 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (ID): | 34 A | 最大漏源导通电阻: | 0.145 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-264AA |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 102 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
APT34N80LC3G | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
APT3507DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | CHIP | |
APT3507FN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | F-PACK SIP | |
APT35-101DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 25A I(D) | CHIP | |
APT3520AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3 | |
APT3520BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AD | |
APT3520DN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
APT3520HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 23.5A I(D) | TO-258ISO | |
APT3525AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 | |
APT3525BN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |