Datasheet > APT34N80B2C3

APT34N80B2C3

更新时间： 2024-10-28 03:02:03

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		/
页数	文件大小	规格书
5页	177K
描述
Super Junction MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT34N80B2C3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	670 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	34 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	102 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT34N80B2C3 数据手册

APT34N80B2C3

APT34N80LC3

800V 34A 0.145Ω

Super Junction MOSFET

T-MAX™

TO-264

COOLMOS

Power Semiconductors

• Ultra low R_{DS ON}

(

)

• Low Miller Capacitance

• Ultra Low Gate Charge, Q_g

• Avalanche Energy Rated

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT34N80B2C3_LC3

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

800

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

102

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

±20

±30

417

Watts

W/°C

P_D

3.33

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

Drain-Source Voltage slope (V_DS= 640V, I_D= 34A, T_J= 125°C)

V/ns

I_AR

E_AR

E_AS

Amps

Repetitive Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

0.5

Single Pulse Avalanche Energy

670

STATICELECTRICALCHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Volts

Ohms

BV_DSS

R_DS(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 500µA)

800

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, I_D= 22A)

0.125 0.145

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_J= 150°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±20V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2mA)

1.0

500

±200

3.9

I_DSS

µA

I_GSS

V_GS(th)

Volts

2.10

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

™

"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-

mark of Infineon Technologies AG"

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与APT34N80B2C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT34N80LC3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80LC3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT3507DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| CHIP
APT3507FN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 60A I(D) \| F-PACK SIP
APT35-101DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| CHIP
APT3520AN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 22.5A I(D) \| TO-3
APT3520BN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 26A I(D) \| TO-247AD
APT3520DN	ADPOW	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与APT34N80B2C3相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

12
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT34N80B2C3

APT34N80B2C3 技术参数

APT34N80B2C3 数据手册

与APT34N80B2C3相关器件

与APT34N80B2C3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT34N80B2C3

APT34N80B2C3 技术参数

APT34N80B2C3 数据手册

与APT34N80B2C3相关器件

与APT34N80B2C3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？