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APT34F60B

更新时间： 2024-02-01 08:23:19

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美高森美 - MICROSEMI		/
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N-Channel FREDFET

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APT34F60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	930 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.19 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT34F60B 数据手册

APT34F60B

APT34F60S

600V, 34A, 0.21Ω Max, t ≤250ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

D³PAK

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent niose immunity and low switching loss. The

rss iss

APT34F60B

APT34F60S

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

rss

for improved noise immunity

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

124

±30

930

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

624

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

0.20

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.15

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT34M120J-09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT34M60B	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
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APT34M60S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT34N80B2C3	ADPOW	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80B2C3	MICROSEMI	获取价格	Super Junction MOSFET
APT34N80B2C3G	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 800V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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