Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

更新时间： 2024-02-09 04:17:27

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
9页	457K
描述
FAST IGBT & FRED

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT33GF120LRDQ2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	64 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	357 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	355 ns
标称接通时间 (ton)：	31 ns	Base Number Matches：	1

APT33GF120LRDQ2G 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

1200V ^{APT33GF120B2_LRDQ2(G)}

APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2

APT33GF120B2RDQ2G* APT33GF120LRDQ2G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

(B2)

FAST IGBT & FRED

T-Max^®

TO-264

The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch through

technology, the Fast IGBT combined with an APT free wheeling Ultra Fast Recovery Epi-

taxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.

(L)

• Low Forward Voltage Drop

• RBSOA and SCSOA Rated

• High Freq. Switching to 20KHz

• Ultra Low Leakage Current

• Ultrafast Soft Recovery Anti-parallel Diode

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

APT33GF120B2_LRDQ2(G)

UNIT

Symbol

V_CES

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

75A @ 1200V

357

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

4.5

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1.5mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

5.5

2.5

3.1

6.5

3.0

Volts

2.0

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

100

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

6000

±120

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5 6 7...9

下载PDF

与APT33GF120LRDQ2G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT33N90JCCU2	MICROSEMI	ISOTOP® Boost chopper Super Junction MOSFET S	获取价格
APT33N90JCCU3	MICROSEMI	ISOTOP® Buck chopper Super Junction MOSFET Si	获取价格
APT33N90JCU2	MICROSEMI	ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module	获取价格
APT33N90JCU3	MICROSEMI	ISOTOP® Buck chopper Super Junction MOSFET Po	获取价格
APT34F100B2	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT34F100B2_09	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格

与APT33GF120LRDQ2G相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

13
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

13
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

11
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

9

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G 技术参数

APT33GF120LRDQ2G 数据手册

与APT33GF120LRDQ2G相关器件

与APT33GF120LRDQ2G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G 技术参数

APT33GF120LRDQ2G 数据手册

与APT33GF120LRDQ2G相关器件

与APT33GF120LRDQ2G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？