Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

更新时间： 2024-11-24 03:37:27

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ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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FAST IGBT & FRED

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APT33GF120LRDQ2G 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	64 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	355 ns
标称接通时间 (ton)：	31 ns	Base Number Matches：	1

APT33GF120LRDQ2G 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

1200V ^{APT33GF120B2_LRDQ2(G)}

APT33GF120B2RDQ2 APT33GF120LRDQ2

APT33GF120B2RDQ2G* APT33GF120LRDQ2G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

(B2)

FAST IGBT & FRED

T-Max^®

TO-264

The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch through

technology, the Fast IGBT combined with an APT free wheeling Ultra Fast Recovery Epi-

taxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.

(L)

• Low Forward Voltage Drop

• RBSOA and SCSOA Rated

• High Freq. Switching to 20KHz

• Ultra Low Leakage Current

• Ultrafast Soft Recovery Anti-parallel Diode

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

APT33GF120B2_LRDQ2(G)

UNIT

Symbol

V_CES

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

V_GE

I_C1

Gate-Emitter Voltage

±30

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 100°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

75A @ 1200V

357

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1200

4.5

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1.5mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

5.5

2.5

3.1

6.5

3.0

Volts

2.0

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

100

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

6000

±120

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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