APT34F100B2

更新时间： 2024-02-14 05:42:30

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-Channel FREDFET

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APT34F100B2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AB
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	2165 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	35 A
最大漏源导通电阻：	0.38 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AB	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APT34F100B2 数据手册

APT34F100B2

APT34F100L

1000V, 34A, 0.40Ω Max, t ≤300ns

N-Channel FREDFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

T-Max^®

TO-264

This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for

high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft

recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly

reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The

rss iss

APT34F100B2

APT34F100L

intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control

di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching

at very high frequency.

Single die FREDFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• ZVS phase shifted and other full bridge

• Fast switching with low EMI

• Half bridge

• Low t for high reliability

• PFC and other boost converter

• Buck converter

• Ultra low C

rss

for improved noise immunity

• Low gate charge

• Single and two switch forward

• Flyback

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 100°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

140

±30

2165

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

1135

0.11

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

0.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

150

300

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)

0.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

Torque

Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M3 screw

1.1

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT34F100B2_09	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT34F100L	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT34F60B	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT34F60B_09	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT34F60S	MICROSEMI	N-Channel FREDFET	获取价格
APT34M120J	MICROSEMI	N-Channel MOSFET	获取价格

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