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AOB412

更新时间： 2024-09-16 21:21:47

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美国万代 - AOS		/
页数	文件大小	规格书
7页	361K
描述
Transistor

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AOB412 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

AOB412 数据手册

AOT412/AOB412L

100V N-Channel MOSFET

SDMOS ^TM

General Description

Product Summary

TheꢀAOT412ꢀ&ꢀAOB412LꢀareꢀfabricatedꢀwithꢀSDMOS^TM

trenchꢀtechnologyꢀthatꢀcombinesꢀexcellentꢀR_DS(ON)ꢀwith

lowꢀgateꢀchargeꢀ&ꢀlowꢀQ_rr.Theꢀresultꢀisꢀoutstanding

efficiencyꢀwithꢀcontrolledꢀswitchingꢀbehavior.ꢀThis

universalꢀtechnologyꢀisꢀwellꢀsuitedꢀforꢀPWM,ꢀload

switchingꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.

ꢀꢀꢀV_DS

100V

ꢀꢀꢀI_Dꢀꢀ(atꢀV_GS=10V)

ꢀꢀꢀR_DS(ON)ꢀ(atꢀV_GS=10V)

ꢀꢀꢀR_DS(ON)ꢀ(atꢀV_GSꢀ=ꢀ7V)

60A

<ꢀ15.8mΩ

<ꢀ19.4mΩ

100%ꢀUISꢀTested

100%ꢀꢀR_gꢀTested

TO-263

D²PAK

TO220

Top View

Bottom View

Top View

Bottom View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

100

Units

DrainꢁSourceꢀVoltage

GateꢁSourceꢀVoltage

V_GS

±25

T_C=25°C

ContinuousꢀDrain

Current

I_D

T_C=100°C

PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ^C

I_DM

140

8.2

T_A=25°C

T_A=70°C

ContinuousꢀDrain

Current

AvalancheꢀCurrentꢀ^C

AvalancheꢀenergyꢀL=0.1mHꢀ^C

I_DSM

6.6

I_AS,I_AR

E_AS,E_AR

110

T_C=25°C

PowerꢀDissipationꢀ^B

T_C=100°C

150

P_D

T_A=25°C

2.6

P_DSM

PowerꢀDissipationꢀ^A

1.7

T_A=70°C

JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRange

T_J,ꢀT_STG

ꢁ55ꢀtoꢀ175

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^A

tꢀꢀ≤ꢀ10s

R_θJA

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ^AꢀD

MaximumꢀJunctionꢁtoꢁCase

SteadyꢁState

R_θJC

0.7

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀRev1:ꢀFebꢀ2011ꢀ

www.aosmd.com

Pageꢀ1ꢀofꢀ7ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AOB414	AOS	获取价格	N-Channel SDMOS TM Power Transistor
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