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AO3409 (KO3409)

更新时间： 2024-11-22 18:09:51

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科信 - KEXIN		/
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P-Channel MOSFET

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AO3409 (KO3409) 数据手册

SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

AO3409 ^(KO3409)

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

+0.1

-0.1

0.4

Features

VDS (V) = -30V

ID = -2.6 A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 130m (VGS = -10V)

RDS(ON) < 200m (VGS = -4.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

0.15

0.95

-0.1

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

V^DS

Rating

-30

Unit

Gate-Source Voltage

V^GS

-2.6

-2.2

-20

1.4

Continuous Drain Current

T^A=25

T^A=70

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

I^DM

T^A=25

T^A=70

Themal Resistance. Junction-to-Ambient

Themal Resistance. Junction-to-Case

Junction and Storage Temperature Range

R^thJA

R^thJC

125

T^J, TSTG

-55 to 150

www.kexin.com.cn

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