Datasheet > 3SK230-U1A-A

3SK230-U1A-A

更新时间： 2024-11-09 19:30:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	66K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-61, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

3SK230-U1A-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SC-61, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.025 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16.5 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3SK230-U1A-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK230

RF AMP. FOR VHF/CATV TUNER

N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

The Characteristic of Cross-Modulation is good.

(Unit: mm)

CM = 108 dB (TYP.) @f = 470 MHz, GR = 30 dB

+0.2

–0.3

2.8

Low Noise Figure

NF1 = 2.2 dB TYP. (@ = 470 MHz)

NF2 = 0.9 dB TYP. (@ = 55 MHz)

GPS = 19.5 dB TYP. (@ = 470 MHz)

+0.2

–0.1

1.5

High Power Gain

Enhancement Typ.

Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner.

Automatically Mounting: Embossed Type Taping

Small Package: 4 Pins Mini Mold Package. (SC-61)

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

VG2S

VG1D

VG2D

I^D

±8(±10)*¹

5°

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

RL 10 k

200

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Drain

3. Gate 2

4. Gate 1

Tch

125

T^stg

55 to +125

PRECAUTION: Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due

to those voltages or fields.

Document No. P10587EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与3SK230-U1A-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK230-U1B	RENESAS	获取价格	VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-61, 4 PIN
3SK230-U1B	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK230-U1B-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK230-UAA	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK230-UAA	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET
3SK231	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231U1C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 18V V(BR)DSS \| 25MA I(D) \| SOT-143R
3SK231-U1C	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-U1C-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231U1D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 18V V(BR)DSS \| 25MA I(D) \| SOT-143R

与3SK230-U1A-A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

22
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

21
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

48
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

39

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3SK230-U1A-A

3SK230-U1A-A 技术参数

3SK230-U1A-A 数据手册

与3SK230-U1A-A相关器件

与3SK230-U1A-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3SK230-U1A-A

3SK230-U1A-A 技术参数

3SK230-U1A-A 数据手册

与3SK230-U1A-A相关器件

与3SK230-U1A-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？