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3SK230-U1B-A

更新时间： 2024-09-17 19:30:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	66K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-61, 4 PIN

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3SK230-U1B-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SC-61, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	16.5 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3SK230-U1B-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK230

RF AMP. FOR VHF/CATV TUNER

N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

The Characteristic of Cross-Modulation is good.

(Unit: mm)

CM = 108 dB (TYP.) @f = 470 MHz, GR = 30 dB

+0.2

–0.3

2.8

Low Noise Figure

NF1 = 2.2 dB TYP. (@ = 470 MHz)

NF2 = 0.9 dB TYP. (@ = 55 MHz)

GPS = 19.5 dB TYP. (@ = 470 MHz)

+0.2

–0.1

1.5

High Power Gain

Enhancement Typ.

Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner.

Automatically Mounting: Embossed Type Taping

Small Package: 4 Pins Mini Mold Package. (SC-61)

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

VG2S

VG1D

VG2D

I^D

±8(±10)*¹

5°

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

RL 10 k

200

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Drain

3. Gate 2

4. Gate 1

Tch

125

T^stg

55 to +125

PRECAUTION: Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due

to those voltages or fields.

Document No. P10587EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK230-UAA	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK230-UAA	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET
3SK231	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231U1C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 18V V(BR)DSS \| 25MA I(D) \| SOT-143R
3SK231-U1C	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-U1C-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231U1D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 18V V(BR)DSS \| 25MA I(D) \| SOT-143R
3SK231-U1D	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-U1D-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-UAC	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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