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3SK231-U1C

更新时间： 2024-11-07 14:46:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	51K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-61, 4 PIN

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3SK231-U1C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SC-61, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	14 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3SK231-U1C 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK231

RF AMP. FOR UHF TV TUNER

N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Noise Figure NF = 2.0 dB TYP. (@ = 900 MHz)

High Power Gain G^ps= 17.5 dB TYP. (@ = 900 MHz)

Enhancement Typ.

(Unit: mm)

+0.2

−0.3

2.8

+0.2

−0.1

1.5

Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.

Automatically Mounting : Embossed Type Taping

Small Package : 4 Pins Mini Mold Package. (SC-61)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

V^DSX

V^G1S

V^G2S

V^G1D

V^G2D

I^D

8 ( 10)*

5°

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

*R^L10 k

P^D

200

T^ch

125

T^stg

55 to +125

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Drain

3. Gate 2

4. Gate 1

PRECAUTION: Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage

due to those voltages or fields.

Document No. P10588EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2283)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6 7 8

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与3SK231-U1C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK231-U1C-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231U1D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 18V V(BR)DSS \| 25MA I(D) \| SOT-143R
3SK231-U1D	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-U1D-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-UAC	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK231-UAD	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK232	TOSHIBA	获取价格	TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
3SK232_07	TOSHIBA	获取价格	TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications
3SK232TE85L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal
3SK232TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal

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