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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.035 A | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK237XY-TL | RENESAS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| 3SK237XY-UL | RENESAS |
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VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK237XY-UR | RENESAS |
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VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK238 | ETC |
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| 3SK238XW | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| 3SK238XW-TL | HITACHI |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK238XW-UL | RENESAS |
获取价格 |
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
|
| 3SK238XW-UR | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
|
| 3SK239A | HITACHI |
获取价格 |
GaAs Dual Gate MES FET |
|
| 3SK239AXR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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