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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.025 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.08 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.25 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 21 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK242-T1V11 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK242-T1-V11 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK242-T1V12 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK242-T1-V12 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK242-T1V13 | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK242-T1-V13 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK242-T1VAA | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK242-T1VAB | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK242-T1-VAB | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
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| 3SK242-T1VAC | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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