3SK241TX

更新时间： 2024-09-17 13:04:35

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松下 - PANASONIC		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

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3SK241TX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	13 V	最大漏极电流 (ID)：	0.05 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

3SK241TX 数据手册

High Frequency FETs

3SK241

GaAs N-Channel MES FET

For VHF-UHF amplification

unit: mm

2.8–⁺0⁰.^.3²

1.5–⁺0⁰.^.3²

■ Features

0.65±0.15

● Low noise-figure (NF)

● Large power gain PG

0.5R

● Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate 1 to Source voltage

Gate 2 to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_G1S

V_G2S

I_D

Ratings

Unit

0.4±0.2

−6

1: Source

2: Drain

3: Gate2

4: Gate1

−6

°C

Gate 1 current

I_G1

Mini Type Package (4-pin)

Gate 2 current

I_G2

200

Marking Symbol: DU

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source cut-off current

Gate 2 to Drain current

Gate 1 cut-off current

Gate 2 cut-off current

Drain cut-off current

Symbol

I_DSS

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

V_DS= 5V, V_G1S= 0, V_G2S= 0

V_G2D= −13V (G1, S = Open)

8.5

I_G2DO

I_G1SS

I_G2SS

I_DSX

_DS= V_G2S= 0, V_G1S= −6V

−20

V_DS= V_G1S= 0, V_G2S= −6V

V_DS= 13V, V_G1S= −3.5V, V_G2S= 0

V_DS= 5V, V_G2S= 0, I_D= 200µA

V_DS= 5V, V_G1S= 0, I_D= 200µA

V_DS= 5V, I_D= 10mA, V_G2S= 1.5V, f = 1kHz

Gate 1 to Source cut-off voltage V_G1SC

Gate 2 to Source cut-off voltage V_G2SC

−3.5

Forward transfer admittance

| Y_fs|

0.4

0.3

0.02

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 5V, V_G1S= V_G2S= −6V

1.2

f = 1MHz

0.04

Power gain

G_R

V_DS= 5V, I_D= 10mA

Noise figure

Gain reduction

V_G2S= 1.5V, f = 800MHz

V_DS= 5V, V_AGC= 1.5V/−3.5V, f = 800MHz

1.5

2.5

12 3

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