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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 12.5 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.04 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 18 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK232TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK233 | ETC |
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| 3SK233XW-TL | RENESAS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK233XW-UL | RENESAS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK234 | ETC |
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| 3SK235 | ETC |
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| 3SK235XY-TL | RENESAS |
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35mA, 12V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK235XY-UL | RENESAS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 3SK236 | ETC |
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| 3SK237 | ETC |
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