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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.27 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.05 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 17 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK229 | ETC |
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| 3SK229XS-TL | RENESAS |
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80mA, 12V, N-CHANNEL, GaAs, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK229XS-TR | RENESAS |
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80mA, 12V, N-CHANNEL, GaAs, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 3SK229XS-UL | RENESAS |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Gallium Arsen |
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| 3SK229XS-UR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.08A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Gallium Arsen |
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| 3SK230-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK230-U1A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK230-U1A-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK230-U1B | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-61, 4 PIN |
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| 3SK230-U1B | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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