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2SK893

更新时间: 2024-11-14 21:55:35
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
2SK893

2SK893 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:1.5 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:75 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK893 数据手册

 浏览型号2SK893的Datasheet PDF文件第2页 

2SK893 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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