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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK897 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK897M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK897MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 550V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK897-MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK899 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK900 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK901 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK901A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247 |
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| 2SK902 | FUJI |
获取价格 |
N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK902A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
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