5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK897M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK897MR | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 550V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK897-MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK899 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK900 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK901 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
| 2SK901A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK902 | FUJI |
获取价格 |
N-Channel Silicon Power MOS-FET |
|
| 2SK902A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 270V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK903 | FUJI |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
